25V NチャネルPowerTrench® MOSFET

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Overview

このNチャンネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMのコントローラーを使用して、全体的な効率を改善し、DC/DCコンバーターのリンギングを最小限にするように設計されています。 それは、少量のゲート電荷、低rDS(on)、高速スイッチングスピードとボディーダイオードの逆回復性能のために最適化されています。

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  • 最大 rDS(on) = 7.5 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 15 A
  • 最大 rDS(on) = 11.1 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 12 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • 次世代強化ボディーダイオード技術、ソフトリカバリ用に設計。
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS7580

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Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

25

7.5

N-Channel

Single

20

3

15

27

-

11.1

16

6.5

894

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