FDN361BN

N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET 30V、1.4A、110mΩ

Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノート PC、携帯電話、PCMCIA カード、およびその他のバッテリ駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

アプリケーション

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Battery Powered Circuits

最終製品

Notebook Computers
Portable Phones
PCMCIA Cards

特長

1.8 A、 30 V。
R_DS(ON) = 110 mΩ @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 160 mΩ @ V_GS = 4.5 V
少量のゲート電荷
業界標準のアウトライン SOT-23 表面実装パッケージは、優れた熱的および電気的機能を実現するため、独自のSuperSOT™-3デザインを使用しています
超低R_DS(ON)用の高性能トレンチ技術。

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDN361BN

Last Shipments

SOT-23-3

527AG

260

REEL

3000

110

N-Channel

Single

1.4

0.5

160

1.3

145

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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