FDPF5N50NZF

NチャネルUniFET^TM II FRFET^® MOSFET 500V, 4.2A, 1.75Ω

Overview

UniFET^TM II MOSFET は、高度プレーナストライプとDMOS技術に基づくフェアチャイルドセミコンダクターの高電圧MOSFETファミリーです。この高度MOSFETファミリーはプレーナMOSFETでオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。さらに、内部ゲートソースESDダイオードによって、UniFET II MOSFETは2kV HBM以上のサージストレスに耐えられます。 UniFET II FRFET^® MOSFETのボディーダイオードの逆回復性能は寿命制御によって向上しました。そのtrrが100nsecより小さく、逆dv/dt除去が15V/nsで、通常プレーナMOSFETがそれぞれ200nsecと4.5V/nsecであるとき。したがって、MOSFETのボディーダイオードの性能が高い用途において、追加コンポーネントを除去し、システムの信頼性を向上させられます。このデバイスファミリーは、力率改善 (PFC)、フラットパネルディスプレイ (FPD) TV電源、ATX、電気ランプブラストに適しています。

アプリケーション

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LCD / LED / PDP TV
Lighting
Uninterruptible Power Supplies
AC-DC Power Supplies

特長

R_DS(on) = 1.57Ω (通常.)@ V_GS = 10V、I_D = 2.1A
少量のゲート電荷 (通常 9nC)
低C_rss (通常 4pF)
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt能力
ESD機能改善
RoHS対応

材料組成

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDPF5N50NZF

Last Shipments

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

500

1750

N-Channel

Single

±25

4.2

365

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