FDT459N

N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、6.5A、35mΩ

Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらの製品はノート PC の電力管理、バッテリ駆動回路、DC モータ制御などのような低電圧、低電流のアプリケーションに好適です。

アプリケーション

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特長

6.5A、30V。 R_DS(ON) = 0.035Ω @ V_GS = 10V
R_DS(ON) = 0.055Ω @ V_GS = 4.5V
超低R_DS(ON)
用の高密度セル設計
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDT459N

Obsolete

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

N-Channel

Single

6.5

365

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、6.5A、35mΩ

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