FDT86256

N チャネル PowerTrench® MOSFET 150V、1.2A、845mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、オン抵抗とスイッチング損失を最小限に抑えるように特別に構成された高度な Power Trench® プロセスを使用して製造されます。ESD 電圧レベルを高めるために G-S ツェナーを追加しています。

アプリケーション

家電製品
DC-DC Conversion
Inverter
Synchronous Rectifier

特長

最大 r_DS(on) = 845 mΩ @ V_GS= 10 V、I_D = 1.2 A
最大 r_DS(on)= 1280 mΩ @ V_GS = 6.0 V、I_D = 1.0 A
競合しているトレンチ技術より非常に低いQgおよびQgd
高速スイッチング速度。
UIL 100%テスト済み
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDT86256

Last Shipments

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

100

845

N-Channel

Single

±20

1.2

0.8

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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