FDV302P

Digital FET、Pチャネル -25V、-0.12A、10Ω

Overview

このPチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、デジタルトランジスタの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアスレジスタは必要ないため、このひとつのPチャネルFETが、DTCxシリーズやDCDxシリーズなどの各種バイアスレジスタのいくつものデジタルトランジスタに取って代わることができます。

アプリケーション

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特長

-25 V、 -0.12 A 連続、-0.5 A ピーク RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V
非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) <1.5V。
ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV 人体モデル
コンパクトな業界標準SOT-23表面実装パッケージ。
多くのPNPデジタルトランジスター(DTCxおよびDCDx)を1つのDMO FETに置き換えます。

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDV302P

Last Shipments

SOT-23 (TO-236)

318

260

REEL

3000

-25

P-Channel

Single

-8

-1.5

-0.12

0.35

13000

10000

1.1

0.22

Price N/A

製品番号:

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