パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、200 V、32 A、82 mΩ、TO-3P

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ・バラストに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • Switched Mode Power Supplies
  • Active Power Factor Correction (PFC)
  • Electronic Lamp Ballasts
  • 32A、 200V、 RDS(on) = 82mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 16A
  • 少量のゲート電荷 (通常 82.5nC)
  • 低Crss (通常 185pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQA32N20C

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TO-3P-3L

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N

200

82

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4

32

204

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-

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