FQA38N30

N チャネル QFET® MOSFET 300 V、38.4 A、85 mΩ

Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード Power 電界効果トランジスタは、当社独自のプレーナストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチモード電源、力率補正、ハーフブリッジに基づく電子ランプバラストに最適です。

特長

38.4 A, 300 V, R_DS(on) = 85 mΩ (Max.) @ V_GS = 10 V, I_D = 19.2 A
Low Gate Charge (Typ. 90 nC)
Low Crss (Typ. 70 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS compliant

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQA38N30

Last Shipments

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

300

N-Channel

Single

38.4

290

3380

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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