パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-250V、-10.5A、620mΩ

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Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • -10.5A、-250V、RDS(on)=620mΩ(最大)@VGS=-10V、ID=-5.25A
  • 少量のゲート電荷 (通常 29nC)
  • 低Crss (通常 27pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQA9P25

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A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

-250

620

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±30

-5

-10.5

150

-

-

-

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