FQB8N60C

NチャネルQFET^® MOSFET 600V、7.5A、1.2Ω

Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

7.5A、600V、R_DS（on） = 1.2Ω（最大）@V_GS = 10 V、 I_D = 3.75A
少量のゲート電荷 (通常 28nC)
低C_rss (通常 12pF)
100%電子なだれテスト済み
RoHS Compliant

材料組成

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製品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQB8N60CTM

Last Shipments

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

600

1200

N-Channel

Single

±30

7.5

147

965

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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