FQD17N08L

NチャネルQFET^® MOSFET 80V、12.9A、100mΩ

Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、オーディオアンプ、DCモーターコントロール、可変スイッチング電源用途に適してます。

アプリケーション

その他の産業用

特長

12.9A、 80V、 R_DS(on) = 100mΩ(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 6.45A
少量のゲート電荷 (通常 8.8nC）
低C_rss (通常 29pF）
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD17N08LTM

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

100

N-Channel

Single

±20

12.9

115

8.8

400

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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