FQD19N10

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、100 V、15.6 A、63 mΩ、DPAK

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

アプリケーション

LCD TV
PDP TV
LED TV

特長

15.6A、100V、R_DS(on)=63mΩ(最大)@V_GS=10V、I_D=7.8A
少量のゲート電荷 (通常 19nC)
低C_rss (通常 32pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD19N10TM

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

100

N-Channel

Single

±20

15.6

600

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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