パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、QFET®、200 V、3.8 A、1.2 Ω, DPAK

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ・バラストに適しています。

  • LED TV
  • 3.8A、200V、RDS(on) = 1.2Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 1.9A
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.8 nC)
  • 低Crss (通常 6pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQD5N20LTM

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Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

200

1200

N-Channel

Single

±30

2

3.8

37

-

1250

-

4.8

250

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