FQN1N60C

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、600 V、0.3 A、11.5 Ω、TO-92

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

0.3A、600V、R_DS(on) = 11.5Ω(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 0.15A
少量のゲート電荷 (通常 4.8nC)
低C_rss (通常 3.5pF）
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQN1N60CTA

Last Shipments

TO−92 3LD 4.75x4.80

135AV

FNFLD

2000

600

11500

N-Channel

Single

±30

0.3

4.8

130

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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