FQP19N20

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、200 V、19.4 A、150 mΩ、TO-220

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC) 、および電子ランプ・バラストに適しています。

アプリケーション

その他のオーディオ&ビデオ

特長

19.4A、200V、R_DS(on) = 150mΩ(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 9.7A
少量のゲート電荷 (通常 31nC)
低C_rss (通常 30pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQP19N20

Last Shipments

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

200

150

N-Channel

Single

±30

19.4

140

1220

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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