パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-200 V、-2.8 A、2.7 Ω、TO-220

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Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • -2.8A、 -200V、 RDS(on) = 2.7Ω(最大) @VGS = -10 V、 ID = -1.4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 6nC)
  • 低Crss (通常 7.5pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQP3P20

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Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

N

-200

2700

P-Channel

Single

±30

-5

-2.8

52

-

-

4

6

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