FQP50N06

Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、60 V、50A、22mΩ、TO-220

Overview

これらNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナストライプ、DMOS技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、自動車、DC / DCコンバーターなどの低電圧アプリケーション、およびポータブル製品やバッテリー駆動製品の電力管理用の高効率スイッチングに最適です。

特長

50A、60V。R_DS(ON)= 0.022Ω@V_GS=10V。
少量のゲート電荷(通常31nC)
低Crss(通常65pF)
高速スイッチング
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt機能
最大175°Cジャンクション温度定格

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQP50N06

Last Shipments

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

N-Channel

Single

±25

120

1180

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