PチャネルQFET® MOSFET -250V、-9.4A、620mΩ

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Overview

このPチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • -9.4A、 -250V、 RDS(on) = 0.62Ω(最大) @VGS = -10 V、 ID = -4.7A
  • 少量のゲート電荷 (通常 29nC)
  • 低Crss (通常 27pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQP9P25

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Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

N

-250

620

P-Channel

Single

±30

-5

-9.4

120

-

-

-

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910

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