FQPF22N30

N チャネル QFET® MOSFET 300V、12A、160mΩ

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ・バラストに適しています。

アプリケーション

その他の産業用

特長

12A、 300V、 R_DS(on) = 160mΩ(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 6A
少量のゲート電荷 (通常 47nC)
低C_rss (通常 40pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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製品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF22N30

Obsolete

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

300

160

N-Channel

Single

±30

1700

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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