FQPF2N60C

Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、600V、2A、4.7 mΩ、TO-220F

Overview

このNチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正（PFC）、および電子ランプバラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

2A、600V、R_DS(on) = 4.7Ω(最大) @V_GS = 10 V、I_D = 1A
少量のゲート電荷 (通常 8.5nC)
低C_rss (通常 4.3pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF2N60C

Last Shipments

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

600

4700

N-Channel

Single

±30

8.5

180

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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