パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、250 V、2.3 A、2.2 Ω、TO-220F

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Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC/DC コンバータ、スイッチ・モード電源に最適です。

  • High Efficiency Switching DC/DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • 2.3 A、 250 V、 RDS(on) = 2.2 Ω (最大) @ VGS = 10 V、 ID = 1.15 A
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.0 nC)
  • 低Crss (通常 4.7 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQPF3N25

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N

250

2200

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