Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、600V、4.5A、2.5Ω、TO-220F

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Overview

これらNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナストライプ、DMOS技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチモード電源、力率補正、ハーフブリッジに基づく電子ランプバラストに最適です。

  • 4.5A、 600V、 RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V
  • 少量のゲート電荷 (通常 15 nC)
  • 低 Crss (通常 6.5 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQPF5N60C

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TO-220-3 FullPak

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1000

N

600

2500

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4

4.5

33

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