FQS4903

N チャネルQFET® MOSFET 500V、0.37A、6.2Ω

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC) 、および電子ランプ・バラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

0.37A、500V、R_DS（on）=6.2Ω（最大）@V_GS=10V、I_D=0.185A
少量のゲート電荷 (通常 6.3nC)
低C_rss (通常 4.5pF）
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQS4903TF

Last Shipments

SOIC-8

751EB

260

REEL

3000

500

Q1=Q2=6200

N-Channel

Dual

±30

0.37

6.3

155

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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