FQU13N10L

パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、QFET®、100 V、10 A、180 mΩ、IPAK

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

アプリケーション

LED TV

特長

"
10A、100V、R_DS(on) = 180mΩ(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 5A
少量のゲート電荷 (通常 9.5nC)
低C_rss (通常 35pF)
Low Level Gate Drive Requirement Allowing Direct Operation From Logic Drivers

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQU13N10LTU

Last Shipments

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

369AR

TUBE

5040

100

180

N-Channel

Single

±20

200

8.7

400

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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