パワー MOSFET、N チャネル、B-FET、200 V、4.6 A、0.9 Ω、IPAK

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Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード Power 電界効果トランジスタは、当社独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

  • High Efficiency Switching DC/DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • DC-AC Converters for Uninterrupted Power Supply
  • Motor Control
  • 4.6 A、200 V、RDS(on) = 800 mΩ @VGS = 10 V
  • 少量のゲート電荷 (通常 12 nC)
  • 低Crss (通常 10 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

IRFU220BTU-AM002

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Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

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0

TUBE

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N

200

800

N-Channel

Single

4

4

4.6

40

-

-

-

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