NDS351N

Nチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ 30V、1.1A、250mΩ

Overview

これらのNチャネルLogic Level 拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPC、携帯電話、PCMCIAカード、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

1.1A、30V。 R_DS(ON) = 0.25Ω @ V_GS= 4.5 V。
優れた熱容量および電気容量のために銅リードフレームを使用した独自のパッケージ設計
超低R_DS(ON)用の高密度セル設計
卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能
コンパクトな業界標準 SOT-23表面実装型パッケージ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDS351N

Obsolete

SOT-23-3

527AG

260

REEL

3000

160

N-Channel

Single

1.1

250

3.5

140

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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