NDS8434

シングル P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ -20V、-6.5A、35mΩ

Overview

これらの P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、ノート PC の電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

アプリケーション

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特長

-6.5 A, -20 V
r_DS(ON) = 35 mΩ @ V_GS = -4.5 V
r_DS(ON) = 50 mΩ @ V_GS = -2.7 V
High Density Cell Design for Extremely Low r_DS(ON)
High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDS8434

Obsolete

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

-20

P-Channel

Single

-8

-1

-6.5

2.5

2330

Price N/A

製品番号:

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