RFD14N05LSM

N チャネル・ロジックレベル・パワー MOSFET 50V、14A、100mΩ

Overview

これらは、MegaFET プロセスを用いて製造された N チャネル・パワー MOSFET です。このプロセスは、LSI集積回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。この性能は、3V から 5V の範囲のゲートバイアスで最大定格の伝導を提供する特別なゲート酸化膜デザインで実現し、ロジックレベル (5V) 集積回路から直接真のオン/オフ電力制御を円滑に行うことができます。旧開発型 TA09870。

アプリケーション

AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
ワークステーション
サーバー&メインフレーム

特長

14A、50V
r_DS(ON)= 0.100Ω
温度補償PSPICE® モデル
CMOS、NMOS、TTL回路から直接駆動可能
ピーク電流対パルス幅カーブ
UIS定格曲線
175℃動作温度
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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

RFD14N05LSM

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

TUBE

1800

N-Channel

Single

±10

100

670

$0.3869

RFD14N05LSM9A

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

N-Channel

Single

±10

100

670

$0.2756

製品番号:

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