SSN1N45B

パワー MOSFET、N チャネル、B-FET、450 V、0.5 A、4.25 Ω、TO-92

Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、ハーフブリッジ構成に基づく電子バラストに最適です。

アプリケーション

照明用

特長

0.5A、450V、R_DS(on) = 4.25Ω@V_GS = 10 V
少量のゲート電荷(通常6.5 nC)
低 Crss (通常 6.5 pF)
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt能力
ゲートソース電圧± 50Vを保証

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

SSN1N45BTA

Last Shipments

TO−92 3LD 4.75x4.80

135AV

FNFLD

2000

450

4250

N-Channel

Single

±50

0.5

0.9

23.6

6.5

185

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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