IRLM220A

パワー MOSFET、N チャネル、A-FET、200 V、1.13 A、800 mΩ、SOT-223

Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

アプリケーション

This product is general usage and suitable for many different applications

特長

Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ V_DS = 200 V
Lower r_DS(on) : 0.609 Ω (Typ.)

材料組成

製品変更通知

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

IRLM220ATF

Last Shipments

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

250

REEL

4000

200

N-Channel

Single

±20

100

1.13

800

2.8

10.3

330

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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