Solar Solutions Energy Storage DC Fast EV Charging UPS
太陽光発電ソリューション エネルギー貯蔵 急速DC EV充電 UPS
エネルギーインフラの進化

オンセミはお客様の設計課題を理解し、解決に向けてサポートします。

完全なエンドツーエンドのサプライチェーン

オンセミのSiC製造バリューチェーンの完全な管理についてご覧ください。

ソリューション

オンセミは、次世代パワーセミコンダクターの革新的な技術、高い信頼性と効率性、品質において数十年におよぶ経験を生かし、超高密度や電力損失にかかるコストを克服しつつ、開発時間を短縮します。お客様とその製造チームがより良い世界の形成に貢献している確信がもてるよう支援します。

より高速なスイッチングで、よりコンパクトな最終製品を実現

1200V M3S SiC MOSFETは、競合製品に比べて、ハードスイッチング用途において最大20%の電力損失削減を実現します。

詳細

フルSiC&ハイブリッドSiCモジュール

オンセミのパッケージ技術は、優れた性能、ディスクリートデバイスよりも低い熱抵抗、業界標準のピン配列に適合する容易な実装パッケージのために最適化されています。

ハイブリッドモジュール フルSiCモジュールフルSiCモジュール

設計の現実を正確に予測する物理的でスケーラブルなSPICEモデル

SPICEモデリングはすべて同じではありません。オンセミのSPICEモデルは、シミュレーション結果を次のレベルに引き上げ、市場投入までの時間を短縮します。

サポートと最新情報

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EliteSiC ダイオードファミリ

ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

D1

製品

650 V, 1200 V, 1700 V

大きいダイ寸法で低いRTHと最大サージ定格電流

  • Vienna整流器の入力段

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D2

製品

650 V

大きいダイ寸法で低いRTHと最大サージ定格電流

  • PFCステージ
  • 出力整流

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D3

製品

1200 V

低Vf高速スイッチング

  • PFCステージ
  • 出力整流

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EliteSiC MOSFETファミリ

ファミリ

電圧

最適化

最適な用途

M1

製品

1200 V, 1700 V

大きいダイ寸法で低いRTH


スイッチング損失と導通損失のバランス

  • DC-DCソリッドステートリレー
  • トラクション&モータドライバ
  • ハードスイッチングアプリケーション

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M2

製品

650 V, 750 V, 1200 V

低速域アプリケーション用向け最低RDS(ON)

  • DC-DCソリッドステートリレー
  • トラクション&モータドライバ

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M3

製品

1200 V

15V〜18Vゲート駆動による高速スイッチングアプリケーション

  • ハードスイッチングアプリケーション
  • LLC共振アプリケーション

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技術資料

オンセミの新しいEliteパワーシミュレータとセルフサービスPLECSモデルジェネレータの技術的利点

オンラインEliteパワーシミュレータとセルフサービスPLECSモデルジェネレータの技術的な利点を解説します。

効率、信頼性、安全性を実現するDC急速充電器 (DCFC) の設計

最高の効率、信頼性、性能を提供するための、DCFC設計の主な考慮事項とアーキテクチャについて解説します。

エネルギーインフラ・アプリケーションで使用される一般的なIGBTトポロジー

現在、EV市場は爆発的な成長期を迎えています。EVの販売台数によると、2022年には合計1,050万台のBEVとPHEVが新たに納入されました。

エネルギー貯蔵システム・ソリューション

低炭素で持続可能な世界を実現するための戦略を発表する国や企業が増えています。

電源ソリューション

オンセミのシステム・レベル・シミュレーション・ツール、注目製品、評価ボードと併せて、電源の基礎を解説します。

シリコンカーバイド (SiC) 設計における熱管理

SiCベース電源システムの熱管理への影響と総コストについて解説します。

IGBTの熱計算

ダイオードとIGBTチップの電力測定と温度上昇の計算方法をわかりやすく解説します。

IGBTの基礎

IGBTの特性と設計における考慮すべき点、およびゲートドライバの設計における考慮すべき点を解説します。

ターンオンスイッチング損失および短絡容量に対するゲート・エミッタ間電圧の影響

ゲート・エミッタ電圧が IGBT デバイスの性能に与える影響について解説します。

SiCシミュレーション

シミュレーションのみで得られた結果と、その結果をいくつかの高電力変換トポロジで使用する方法に焦点を当てて解説します。

パラメータと適用結果を評価する、スケーラブルな物理的シミュレーションモデル

スケーラブルな物理的モデリング手法は、プロセスとレイアウトパラメータに基づいた高度なSPICEモデリングアプローチで、SPICE、物理的設計、プロセス技術の間の直接リンクにより設計の最適化を可能にします。

IGBTの信頼性と品質

今日の半導体市場において企業の成功にとって2つの重要要素は、製品の品質と信頼性です。

エンジニアリングエッセンシャル:デジタルアイソレータまたはオプトカプラの選択

エネルギー需要の拡大を受けて、電流と電圧の価値も高まっています。より高い電圧は、スタンドアロン用途を含む多くのアプリケーションにおいてより一般的になっています。

PIMモジュール(Q0、Q1、Q2、F1、F2)の実装手順

Q0、Q1、Q2、F1、F2パッケージ を使用したPIM (Power Integrated Module)の実装手順について説明します。

高効率DC-DCコンバータモジュール

NCP12700はシングルエンド スイッチモード電源(SMPS)用の固定周波数、ピーク電流モードPWMコントローラです。

オンセミのIGBTデータシートの読み方

絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、モータ制御、UPS、ソーラーインバータ、誘導加熱といった高電力用途に最適なパワースイッチです。

標準ゲートドライバ オプトカプラ

FOD31xxゲートドライバ ・ファミリは、パワーバッファとして機能し、パワーMOSFETまたはIGBTのゲートを制御します。

MOSFETの基本

バイポーラパワートランジスタ (BPT) は、パワー用途のスイッチングデバイスとして不利な点がいくつかあり、このことがパワーMOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の開発につながりました。

オンセミのM1 1200V SiC MOSFET&モジュール:特徴と駆動の推奨事項

当社のM1 1200V SiC MOSFETの主要特性と、それらが駆動条件によってどのような影響を受けるかについて解説します。また、オンセミが提供するフルワイドバンドギャップ・エコシステムの一環として、SiC MOSFETの絶縁型ゲートドライバの使用方法も解説します。

ガルバニック絶縁ゲートドライバ設計に関するヒント

システム用途におけるオンセミのガルバニック絶縁ゲートドライバのパラメータ、機能、設計上のヒントを解説します。

最新のパワーエレクトロニクス デバイスの物理ベースのスケーラブルなSPICEモデリング手法

オンセミの物理ベースのスケーラブルなSPICEモデルが、シミュレーション結果を次のレベルに引き上げ、その結果、市場投入までの時間を短縮させる方法について解説します。

SiC MOSFET:ゲートドライブ最適化

SiC MOSFETに関連した独自のデバイス特性について解説します。また、SiCスイッチング性能を最大化するための最低なゲートドライブ設計に関する重要な設計要件と、システムレベルの考慮事項についても説明します。

パワーパッケージ・ヒートシンク実装ガイド

適切な熱管理のためにヒートシンクを実装するためのガイドラインを提供します。各種パッケージのヒートシンク実装方法、考慮事項、接触熱抵抗、実装トルクについて説明します。

SiC MOSFETを効率的に駆動させるための絶縁型ゲートドライバの使用ガイドライン

SiC MOSFETは、パワー用途においてIGBTの真の代替品になっています。絶縁型ゲートドライバは、IGBTおよびMOSFETにおいて信頼性の高い制御を提供することにより、SiCなどの技術が要求するスイッチング最高速度やシステムサイズの制約に対応するよう設計されています。ここでは、スイッチング損失を最小限に抑え、デバイスを最大限に活用するために、速度を考慮したゲート駆動電圧の最適な設計に焦点を当てます。

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