P チャネル Power Trench® MOSFET、-80 V、-2.1 A、183 mΩ

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Overview

この P チャネル MOSFET は、rDS (ON)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench®プロセスを使用して製造されています。

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  • 最大 rDS(on) = 183 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -2.1 A
  • 最大 rDS(on) = 233 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -1.9 A
  • 超低rDS(on)
    用の高性能トレンチ技術。
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 高速スイッチング速度。
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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状態

ECAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Configuration

V(BR)DSS Min (V)

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FDC3535

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Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

Single

-80

±20

-3

-2.1

1.6

-

233

183

-

6.8

659

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