Power MOSFET、N チャネル、QFET®、600 V、18.5 A、380 mΩ、TO-3P

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Overview

この N チャネル拡張モード Power MOSFET は独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率改善 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • デスクトップPC
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • Switched Mode Power Supplies
  • Active Power Factor Correction (PFC)
  • Electronic Lamp Ballasts
  • 18.5A、600V、RDS(on) = 380mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 9.3A
  • 少量のゲート電荷 (通常 70nC)
  • 低Crss (通常 35pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQA19N60

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Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

600

380

N-Channel

Single

±30

5

18.5

300

-

-

-

70

2800

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