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AFGB30T65SQDN: IGBT、650V FS4 高速バージョン、D2PAK の OBC アプリケーション向け

Datasheet: IGBT for Automotive Applications
Rev. 0 (151kB)
製品概要
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» 製品変更通知
新しいフィールドストップの第 4 世代 IGBT テクノロジを使用し、AEC-Q101 認定済み。AFGB30T65SQDN は、さまざまなアプリケーションでの高効率動作のために、低伝導損失とスイッチング損失の両方で最適なパフォーマンスを提供します。
特長   利点
     
  • AEC-Q101 Qualified
 
  • For Automotive
  • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A
 
  • Low conduction loss
  • Low VF soft recovery co-packaged diode
 
  • Low noise and conduction loss
アプリケーション   最終製品
  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DCC converter for HEV
 
  • EV/PHEV
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
AFGB30T65SQDN Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
AFGB30T65SQDN, 650V, 30A, D2PAK D2PAK-3 / TO-263-2 418AJ 1 260 Tape and Reel 800 $2.2571
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
V(BR)CES Typ (V)
IC Max (A)
VCE(sat) Typ (V)
VF Typ (V)
Eoff Typ (mJ)
Eon Typ (mJ)
Trr Typ (ns)
Irr Typ (A)
Gate Charge Typ (nC)
Short Circuit Withstand (µs)
EAS Typ (mJ)
PD Max (W)
Co-Packaged Diode
Package Type
AFGB30T65SQDN  
 $2.2571 
Pb
A
P
 Active   
650
30
1.6
1.5
0.16
0.786
131
56
-
-
220
Yes
D2PAK-3 / TO-263-2
Case Outline
418AJ   
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