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FCD600N65S3R0: パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® III、Easy Drive、650 V、6 A、600 mΩ、DPAK

Datasheet: MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 6 A, 600 mΩ
Rev. 4 (211kB)
製品概要
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» 製品変更通知
SUPERFET III MOSFET は、オン・セミコンダクターの最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端な dv/dt レートに対応するよう構成されています。その結果、SUPERFET III MOSFET Easy Drive シリーズは EMI の各種問題の管理に役立ち、設計の実装を容易にします。
特長   利点
     
  • 700 V @ TJ= 150 oC
 
  • Higher system reliability at low temperature operation
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 127 pF)
 
  • Low switching loss
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC)
 
  • Low switching loss
  • Optimized Capacitance
 
  • Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
  • 100% Avalanche Tested
   
  • RoHS Compliant
   
  • Typ. RDS(on) = 493 mΩ
   
  • Internal Gate Resistance: 0.9 Ω
   
アプリケーション   最終製品
  • Computing
  • Consummer
  • Industrial
 
  • Notebook / Desktop computer
  • Game Console
  • LCD / LED TV
  • LED Lighting / Ballast
  • Adapter
  • Telecom / Server
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FCD600N65S3R0 Active
Pb-free
Halide free
FCD600N65S3R0 DPAK-3 / TO-252-3 369AS 1 260 Tape and Reel 2500 $0.4158
マーケットリードタイム(週) : 17 to 20

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FCD600N65S3R0  
 $0.4158 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
650
30
4.5
6
54
-
-
600
-
11
465
DPAK-3 / TO-252-3
Case Outline
369AS   
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