パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、800 V、17 A、290 mΩ、TO-220

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv / dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFET は、PFC、サーバ/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。

  • AC-DC Power Supplies
  • LED Lighting
  • 通常 RDS(on) = 0.245 Ω
  • 低ゲート電荷 (通常 Qg = 58 nC)
  • 低Eoss (通常 5.6 uJ @ 400 V)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff.) = 240 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS に対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCP290N80

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Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

N

800

290

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

4.5

17

212

-

-

-

58

2410

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