FQH44N10: NチャネルQFET® MOSFET 100V、48A、39mΩ

Datasheet: MOSFET – N-Channel, QFET® 100 V, 48 A, 39 mΩ
Rev. 5 (295kB)
製品概要
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製品変更通知
このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、オーディオアンプ、DCモーターコントロール、可変スイッチング電源用途に適してます。
特長
 
  • 48A、100V、RDS(on) = 39mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 24A
  • 少量のゲート電荷 (通常 48nC)
  • 低Crss (通常 85pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格
アプリケーション
  • その他の産業用
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FQH44N10-F133 Active
Pb-free
Halide free
FQH44N10 TO-247-3 340CK NA Tube 450 $1.2429
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 1,350

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FQH44N10-F133  
 $1.2429 
Pb
H
 Active   
N-Channel
100
±25
4
48
180
-
-
39
-
48
1400
TO-247-3
Case Outline
340CK   
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