NチャネルQFET® MOSFET 100V、48A、39mΩ

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Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、オーディオアンプ、DCモーターコントロール、可変スイッチング電源用途に適してます。

  • その他の産業用
  • 48A、100V、RDS(on) = 39mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 24A
  • 少量のゲート電荷 (通常 48nC)
  • 低Crss (通常 85pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

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Channel Polarity

Configuration

V(BR)DSS Min (V)

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQH44N10-F133

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N

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