FQT13N06L: Power MOSFET、Nチャネル、Logic Level、QFET®、60 V、2.8 A、110 mΩ、SOT-223

Datasheet: FQT13N06LJP-D.pdf
Rev. A (908kB)
製品概要
信頼性データを表示する
材料組成を表示
製品変更通知
このNチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。
特長
 
  • 2.8A、60V、RDS(on) = 140mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 1.4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.8nC)
  • 低Crss (通常 17pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
アプリケーション
  • LED TV
  • 家電製品
  • その他の産業用
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SECO-RANGEFINDER-GEVK Active
Pb-free
SiPM Direct Time of Flight (dToF) LiDAR
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FQT13N06LTF Lifetime
Pb-free
FQT13N06L SOT-223-4 / TO-261-4 318H-01 1 260 Tape and Reel 4000 $0.2483
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Case Outline
318H-01   
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

特集ビデオ
SiPM dToF LiDAR Platform GUI Walkthrough
Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.