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NCD57000: 絶縁高電流高効率IGBTゲート・ドライバ(ガルバニック絶縁内蔵)

Datasheet: Isolated High Current IGBT Gate Driver
Rev. 2 (150kB)
製品概要
»材料組成を表示
» 製品変更通知
NCD57000はガルバニック絶縁内蔵の高電流シングル・チャネルIGBTドライバであり、ハイパワー・アプリケーションの高システム効率と信頼性のために設計されています。相補入力、FAULT/Readyオープンドレイン出力、アクティブ・ミラー・クランプ、正確なUVLO、DESAT保護、DESATのソフトターン・オフ、システム設計がしやすいハイ/ロー(OUTH/OUTL)別ドライバ出力といった機能があります。入力側では5Vと3.3Vの両方の信号、ドライバ側では負電圧を含む広いバイアス電圧範囲に対応します。5 kVrms超(UL1577定格)のガルバニック絶縁と1200 Viorm超(使用電圧)という能力を実現します。NCD57000は幅広SOIC-16パッケージで提供されます。入出力間の沿面距離8 mmを保証、強化安全絶縁要件を満たしています。
特長   利点
     
  • High Current Output(+4/-6 A) at IGBT Miller Plateau Voltages
 
  • Improves system efficiency
  • Short Propagation Delays with Accurate Matching
 
  • Improves PWM signal integrity
  • DESAT with Soft Turn Off
 
  • Protection against overload and short circuits
  • Active Miller Clamp and Negative Gate Voltage
 
  • Prevents spurious gate turn-on
  • High Transient & Electromagnetic Immunity
 
  • Ruggedness in fast slew rate high voltage and high current switching applications
  • 5 kV Galvanic Isolation
 
  • Galvanic isolation to separate high voltage and low voltage sides to provide safety and protection
アプリケーション   最終製品
  • Solar Inverters
  • Motor Control
  • UPS
  • Industrial Power Supplies
  • Welding
 
  • Industrial Motors
  • Commercial HVAC
  • Data Center and Server Power Supplies
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SECO-NCD57000-GEVB Active
Pb-free
Application daughter-card for NCD57000 IGBT gate driver
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NCD57000DWR2G Active
Pb-free
Halide free
NCD57000 SOIC-16W 751G-03 1 260 Tape and Reel 1000 Contact Sales Office
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Avnet   (2020-08-19 00:00) : >1K
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 9,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCD57000DWR2G  
Pb
H
 Active   
IGBT
SiC MOSFET
1
Single
Galvanic Isolation
5.5
24
6000 / 6000
10
15
90
SOIC-16W
Case Outline
751G-03   
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