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NCP51705: SiC MOSFETドライバ、ローサイド、シングル6 A高速

Datasheet: Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver
Rev. 3 (420kB)
製品概要
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NCP51705ドライバは、プライマリ・ドライブSiC MOSFETトランジスタに対して設計されています。伝導損失を可能な限り低くするため、最大許容ゲート電圧をSiC MOSFETデバイスへ供給できます。ターンオン/ターンオフ時に高ピーク電流を供給するため、スイッチング損失も最小化されます。信頼性、dV/dt耐性を向上し、さらにターンオフを加速するため、NCP51705はオンボード・チャージ・ポンプを活用して、ユーザーが選択可能な負電圧レールを生成できます。また、絶縁型アプリケーションに向けて、NCP51705の外部アクセス可能な5 Vレールはデジタル・オプト・アイソレータや高速オプト・アイソレータの2次側へ電力を供給できます。
特長   利点
     
  • High Peak Output Current with Split Output Stages
 
  • Allow independent Turn−ON/Turn−OFF Adjustment
  • Extended Positive Voltage Rating up to 28 V Max
 
  • Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
  • User−adjustable Built−in Negative Charge Pump (-3.3 V to -8 V)
 
  • Fast Turn−off and Robust dV/dt Immunity
  • Accessible 5 V Reference / Bias Rail
 
  • Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
  • Adjustable Under−Voltage Lockout
 
  • Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
  • Fast Desaturation Function
 
  • Self protection of the design
  • QFN24 Package 4 x 4 mm
 
  • Small & Low Parasitic Inductance package
アプリケーション   最終製品
  • High Perfomance Inverters
  • High Power Motor Drivers
  • Totem Pole PFC
 
  • Industrial & Motor Drives
  • UPS & Solar Inverters
  • High Power DC Chargers
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
NCP51705SMDGEVB Active
Pb-free
Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver
SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB Active
Pb-free
6.6kW OBC SiC model
SECO-GDBB-GEVB Active
Pb-free
Gate drivers plug-and-play ecosystem
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NCP51705MNTXG Active
Pb-free
Halide free
NCP51705 WQFN-24 510BE 1 260 Tape and Reel 3000 $1.4666
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 12,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCP51705MNTXG  
 $1.4666 
Pb
H
 Active   
SiC MOSFET
1
Single
Non-Isolated
N/A
28
6000 / 6000
8
8
50
WQFN-24
Case Outline
510BE   
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Utilizing Wide Bandgap in HEV/EV Charging Applications
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