NCP51820: 高性能、650 Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバ(GaN電源スイッチ用)
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高速ゲート・ドライバNCP51820は、強化モード(e−mode)駆動とオフラインのハーフブリッジ電力トポロジでのGIT(Gate Injection Transistor)GaN HEMT電源スイッチのの厳しい要件を満たす設計になっています。NCP51820では、伝播遅延を短縮して一致させ、−3.5 V~+650 V(定格)のコモン・モード電圧範囲になっており、ハイサイド・ドライブに向いています。GaNパワー・トランジスタのゲートを過電圧によるストレスから完全に保護するため、いずれのドライブ段も専用の電圧レギュレータを採用して、ゲート・ソース・ドライブ信号アンプリチュードを正確に維持します。NCP51820は、独立した低電圧ロックアウト(UVLO)やICサーマル・シャットダウンなど、重要な保護機能を提供します。
特長 | 利点 | ||||
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アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) | パッケージ図 (1) |
ホワイト・ペーパ (1) | ビデオ (1) |
データシート (1) | 評価ボード文書 (6) |
評価/開発ツール情報
製品 | 状態 | Compliance | 簡単な説明 | アクション | |
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NCP51820GAN1GEVB | Active |
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NCP51820 GaN driver evaluation board for 650 V, 50 mOhm E-mode GaN HEMT |
Availability & Samples
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Specifications
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Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCP51820AMNTWG
$1.1464
Pb
A
H
P
Active
GaN
2
Half-Bridge
Junction Isolation
650
20
1000 / 2000
1
0.5
50
QFN-15
Case Outline
485FN
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