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AFGHL50T65SQDC: ハイブリッドIGBT - SiC-SBDを搭載した650V、50Aフィールドストップ4トレンチ IGBT

Datasheet: Hybrid IGBT, 50 A, 650 V
Rev. 3 (241kB)
製品概要
»材料組成を表示
» 製品変更通知
新しいフィールドストップIGBTとSiC SBD技術を使用した、オン・セミコンダクターの新シリーズのハイブリッドIGBTは、ハードスイッチング・アプリケーションに最適な性能を提供します。このデバイスは、シリコンベースのIGBTとSiCショットキバリアダイオードを1パッケージ化しており、性能の低いシリコンベースのソリューションと、コストの高い完全なSiCベースのソリューションとの間の優れたトレードオフを実現します。
特長   利点
     
  • Copacked with SiC schottky barrier diode
 
  • Ultra low reverse recovery loss
  • Maximum Junction Temperature, Tj=175°C
 
  • Higher reliability
  • Automotive Qualified
   
  • Very low switching and conduction losses
   
  • Positive temperature co-efficient
   
  • 100% of the parts are dynamically tested
   
  • Tight parameter distribution
   
アプリケーション   最終製品
  • Automotive
  • Industrial Inverter
  • DC-DC Converter
  • PFC, Totem Pole Bridgeless
  • Hard Switching
 
  • xEV On & Off board charger
  • UPS
  • Solar Inverter
  • HVAC
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
AFGHL50T65SQDC Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
AFGHL50T65SQDC TO-247-3LD 340CX NA Tube 450 $5.9999
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Avnet   (2020-08-19 00:00) : <1K

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
V(BR)CES Typ (V)
IC Max (A)
VCE(sat) Typ (V)
VF Typ (V)
Eoff Typ (mJ)
Eon Typ (mJ)
Trr Typ (ns)
Irr Typ (A)
Gate Charge Typ (nC)
Short Circuit Withstand (µs)
EAS Typ (mJ)
PD Max (W)
Co-Packaged Diode
Package Type
AFGHL50T65SQDC  
 $5.9999 
Pb
A
P
 Active   
650
50
1.6
1.45
94
Yes
TO-247-3LD
Case Outline
340CX   
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