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FDMS0312AS: N チャネル PowerTrench® SyncFET™ 30V、22A、5.0mΩ

Datasheet: FDMS0312ASJP-D.pdf
Rev. A (417kB)
製品概要
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» 製品変更通知
FDMS0312AS は電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。シリコン技術およびパッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低の rDS(on) を実現しながら、卓越したスイッチング性能を維持します。このデバイスには、効率的なモノリシックショットキーボディダイオードという利点があります。
特長
 
  • 最大 rDS(on) = 5.0 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 18 A
  • 最大 rDS(on) = 6.2 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 16 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • SyncFETショットキーボディーダイオードが含まれています
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
  • ノートブックPC
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
STR-NCP164A-WDFN6-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCP164A Adjustable LDO, WDFN6 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, DFNW8 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-TSOP5-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, TSOP5 Package Evaluation Board
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMS0312AS Active
Pb-free
Halide free
FDMS0312AS PQFN-8 483AE 1 260 Tape and Reel 3000 $0.1867
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 180,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS0312AS  
 $0.1867 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
30
20
3
22
36
-
6.2
5
-
11
1365
PQFN-8
Case Outline
483AE   
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