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FDMS3660S: 非対称デュアルNチャネルPowerTrench® Power Stage MOSFET 30V

Datasheet: PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N?Channel MOSFET
Rev. 3 (478kB)
製品概要
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» 製品変更通知
このデバイスには、デュアルPQFNパッケージに2つの特別な NチャネルMOSFETが含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバーターの配置とルーティングを容易にします。制御MOSFET(Q1)および同期SyncFET(Q2)は、最適な電力効率を提供するように設計されています。
特長
 
  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 rDS(on) = 8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 13 A
  • 低インダクタンス• パッケージ採用で立ち上がり/立ち下がり時間を削減、その結果、スイッチング損失が減少
  • MOSFETを統合することで最適なレイアウトが可能、 回路インダクタンス及びスイッチノードのリンギングを抑制
  • RoHS対応
アプリケーション
  • ノートブックPC
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMS3660S Active
Pb-free
Halide free
FDMS3660S PQFN-8 483AJ 1 260 Tape and Reel 3000 $0.614
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS3660S  
 $0.614 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Dual
30
12
Q1: 2.7, Q2; 2.2
Q1: 13.0, Q2: 30.0
Q1:2.2, Q2: 2.5
-
Q1: 11.0, Q2: 2.2
Q1: 8, Q2: 1.8
17
29
4130
PQFN-8
Case Outline
483AJ   
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