FDMS86181: Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 100V、124A、4.2mΩ
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このNチャネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。
| 特長 | |
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| アプリケーション |
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技術資料 & デザイン・リソース
| アプリケーション ノート (12) | データシート (1) |
| シミュレーション・モデル (3) | パッケージ図 (1) |
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Availability & Samples
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Specifications
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Case Outline |
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| FDMS86181 | Active |
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FDMS86181 | PQFN-8 | 483AE | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | $1.1865
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| マーケットリードタイム(週) | : | Contact Factory |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS86181
$1.1865
Pb
A
H
P
Active
N-Channel
Single
100
±20
4
124
125
-
-
4.2
-
27
2945
PQFN-8
Case Outline
483AE
| デザイン・サポート |