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FDMS86181: Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 100V、124A、4.2mΩ

Datasheet: MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH, 100 V, 124 A, 4.2 mΩ
Rev. 3 (230kB)
製品概要
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» 製品変更通知
このNチャネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。
特長
 
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大rDS (on) = 4.2 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 44 A
  • 最大rDS (on) = 12 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 22 A
  • ADD
  • 他のMOSFETメーカーより50%低いQrr
  • スイッチングノイズ/EMIを低減
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS 対応
アプリケーション
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMS86181 Active
Pb-free
Halide free
FDMS86181 PQFN-8 483AE 1 260 Tape and Reel 3000 $1.1865
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS86181  
 $1.1865 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
4
124
125
-
-
4.2
-
27
2945
PQFN-8
Case Outline
483AE   
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