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NTLJD3115P: デュアル P チャネル・パワー MOSFET -20V -4.1A 100mΩ

Datasheet: MOSFET — Power, Dual, P-Channel, WDFN 2X2 mm -20 V, -4.1 A
Rev. 7 (138kB)
製品概要
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パワー MOSFET -20 V、-4.1 A、µCool™ デュアル P チャネル、2x2 mm WDFN パッケージ
特長
 
  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88
  • Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
  • 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic Level
  • Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments
  • Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration
アプリケーション
  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
  • Li-Ion Battery Charging and Protection Circuits
  • High Side Load Switch
Availability & Samples
Specifications
Case Outline
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NTLJD3115PT1G Active
Pb-free
Halide free
NTLJD3115P WDFN-6 506AN 1 260 Tape and Reel 3000 $0.194
NTLJD3115PTAG Obsolete 
Pb-free
Halide free
NTLJD3115P WDFN-6 506AN 1 260 Tape and Reel 3000  
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
NTLJD3115PT1G  
 $0.194 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Dual
-20
8
1
3.3
1.5
Q1=Q2=135
Q1=Q2=100
-
6.5
5.5
531
WDFN-6
Case Outline
506AN   
パッケージ
NTLJD3115P: デュアル P チャネル・パワー MOSFET -20V -4.1A 100mΩ
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