シリコンカーバイド（SiC）技術の利点

SiCデバイスは、シリコンデバイスと比較して、絶縁破壊電界強度が10倍、電子飽和速度が2倍、エネルギーバンドギャップが3倍、熱伝導率が3倍の性能を持っています。

最高レベルの信頼性

オンセミのSiCデバイスは、特許取得済みの終端構造を採用しており、過酷な環境条件においても優れた堅牢性を備えています。

H3TRB Testing (High Temp/Humidity/Bias), 85C/85% RH/85% V (960V)

堅牢性

オンセミのショットキーバリアSiCダイオードは、リークに関して常にクラス最高の性能を維持しています。

耐久性

SiCダイオードは、サージとアバランシェに対して優れた耐久性を持っています。

Surge current waveform of a 650V/30A onsemi SiC diode
Avalanche current waveform of a 650V/30A onsemi SiC diode

ワイドバンドギャップアプリケーション
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