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NIS5112: 12 V電子ヒューズ、eFuse

Datasheet: Electronic Fuse
Rev. 10 (442kB)
製品概要
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NIS5112は、内部チャージ・ポンプで駆動されるハイ・サイドNチャネルFETを活用する統合スイッチです。 このスイッチの特長は、電流センシングで高価な低インピーダンスの電流シャントではなく安価なチップ抵抗器の使用を許容するMOSFETです。12 Vシステムで動作するよう設計され、頑強なサーマル保護回路があります。
特長
 
  • Integrated Power Device
  • Power Device Thermally Protected
  • No External Current Shunt Required
  • Enable/Timer Pin
  • Adjustable Slew Rate for Output Voltage
  • 9 V to 18 V Input Range
  • 30 mΩ Typical
  • Internal Charge Pump
アプリケーション
  • Hard Drives
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NIS5112D1R2G Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
NIS5112 SOIC-8 751-07 3 260 Tape and Reel 2500 $1.518
NIS5112D2R2G Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
NIS5112 SOIC-8 751-07 3 260 Tape and Reel 2500 $1.518
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
Case Outline
751-07   
パッケージ
NIS5112: 12 V電子ヒューズ、eFuse
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