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NIS5132: 12 V 電子ヒューズ、eFuse

Datasheet: +12 Volt Electronic Fuse
Rev. 10 (266kB)
製品概要
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»材料組成を表示
» 製品変更通知
NIS5132 は、費用効率が高くリセット可能なヒューズで、壊滅的障害とシャットダウン障害のいずれに対しても、ハード・ドライブなどの回路の信頼性を大幅に強化します。センシティブな回路を損傷する入力過電圧から負荷デバイスをバッファ化するよう設計されています。過電圧クランプ回路もあり、過渡時の出力電圧を制限しますが、ユニットのシャットダウンはしないため、動作は継続できます。
特長
 
  • Integrated Power Device
  • Internal Latching Thermally Protected
  • No External Current Shunt Required
  • 9V to 18V Input Range
  • Internal Charge Pump
  • Internal Undervoltage Lockout Circuit
  • Internal Overvoltage Clamp
  • ESD Ratings: Human Body Model (HBM); 1500V, Machine Model (MM); 200V
  • These are Pb-Free Devices
  • Auto Retry Option
  • 44 mohm Typical
アプリケーション   最終製品
  • Mother Board Power Management
 
  • Hard Drives
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
STR-NIS5132-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NIS5132 12V, 44mΩ, 3.6A eFuse
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NIS5132MN1TXG Active
Pb-free
Halide free
NIS5132 DFN-10 485C 1 260 Tape and Reel 3000 $0.3933
NIS5132MN2TXG Active
Pb-free
Halide free
NIS5132 DFN-10 485C 1 260 Tape and Reel 3000 $0.3933
NIS5132MN3TXG Active
Pb-free
Halide free
NIS5132 DFN-10 485C 1 260 Tape and Reel 3000 $0.4968
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Type
VI Max (V)
rDS(on) Max (mΩ)
TSD Typ (°C)
Thyst Typ (°C)
Package Type
NIS5132MN1TXG  
 $0.3933 
Pb
H
 Active   
Latch Off
18
55
175
45
DFN-10
NIS5132MN2TXG  
 $0.3933 
Pb
H
 Active   
Auto-Retry
18
55
175
45
DFN-10
NIS5132MN3TXG  
 $0.4968 
Pb
H
 Active   
Latch Off
18
55
175
45
DFN-10
Case Outline
485C   
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