I3T80: 0.35 µm プロセス・テクノロジ

オン・セミコンダクタのインテリジェント・インタフェース・テクノロジI3T80プロセスは、0.35 µmデジタル・プロセスの集積度、アナログ/ミックスド・シグナル能力、および高耐圧を提供し、ミックスド・シグナルおよび高耐圧環境で増大するデジタル・コンテンツ対するニーズに応えます。I3T80プロセス・ファミリは、最大80Vまでの高耐圧デバイスを取り揃え、3.3Vでのデジタル/アナログ動作が可能で、1個のICで幅広い機能を提供します。


特長

  • 3~5層メタル・プロセス
  • メタル-メタル(MIM)リニア・キャパシタ
  • 高、中、および抵抗ポリシリコン抵抗
  • フローティング高電圧NDMOS & PDMOSトランジスタ
  • フローティング中電圧NDMOS
  • フローティング高電圧および低電圧ダイオード
  • 中電圧NPNバイポーラ・トランジスタ
  • 中電圧PNPバイポーラ・トランジスタ(コレクタ接地、高および低ゲイン)
  • OTP用ツェナー・ザップ・ダイオード
  • ポリシリコン・クランピング・ダイオード
  • 高および中電圧フローティング・メタル・キャパシタ
  • 深くn+ドーピングされたガード・リング

プロセス特性

パラメータ
動作電圧 3.3 V
基板材料 P基板上のNエピタキシ、逆行ウェル
描画トランジスタ長 0.35 µm
ゲート酸化膜厚 7.0 nm
コンタクト/ビア・サイズ 0.4 µm
コンタクテッド・ゲート・ピッチ 1.3 µm
トップ・メタル厚 1020 nm

コンタクテッド・メタル・ピッチ

パラメータ
メタル1/CNT 1.1 µm
メタル1/Via 1 1.2 µm
メタル2からトップ1/Via 1.2 µm
メタル組成 Al/Cu
絶縁 LOCOS
ILD平坦化 USG/BPTEOS+CMP
IMD平坦化 HDP/PETEOS+CMP

メタル・ピッチ

パラメータ
メタル1 1.0 µm
メタル2 1.1 µm
トップ・メタル 1.4 µm

サンプル・プロセス・オプション

パラメータ マスク・レイヤ
3メタル, 80 V, MIMC, HIPO, OTP 23
4メタル, 80 V, MIMC, HIPO, OTP 25
4メタル、80 V、MIMC、HIPO、OTP、フラッシュEEPROM 28

デバイス特性

値はすべて25℃時の標準値

低電圧トランジスタ

NMOSトランジスタr 標準値 単位 PMOSトランジスタ 標準値 単位
Vt (10/0.35, 線形補間) 0.59 V Vt (10/0.35, 線形補間) -0.57 V
Vmax=Vbd 3.6 V Vmax=Vbd -3.6 V
IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) 530 µA/µm IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) -250 µA/µm

バイポーラ・トランジスタ

垂直中電圧PNP:VPB(パラメータ、E_area=0.64µm²) 標準値 単位
Hfe @ Ic=10 µA 8 -
Bvceo @ Ic=1 µA -63 V
Bvces @ Ic=1 µA -67 V
Icmax 250 µA
垂直中電圧“高ゲイン” PNPトランジスタ:VPHB (パラメータ、 E_area=0.64µm²) 標準値 単位
Hfe @ Ic=100 nA 115 -
Bvceo @ Ic=1 µA >80 V
Bvces @ Ic=1 µA >100 V
Icmax 250 µA
中電圧NPN(パラメータE_area=0.16 µm²) 標準値 単位
Hfe max 120 -
Bvceo @ Ic=1 µA 23 V
Bvces @ Ic=1 µA >80 V
Icmax >70 V

高電圧トランジスタ

フローティングNMOS@80 V 標準値 単位 フローティングPMOS@80 V 標準値 単位
Vt (10/0.35, 線形補間) 0.59 V Vt (10/0.35, 線形補間) -0.57 V
Vmax=Vfloat からP基板 80 V Vmax=Vfloat からP基板 80 V
Vmax=Vbd 3.6 V Vmax=Vbd -3.6 V
IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) 530 µA/µm IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) -250 µA/µm
スイッチング・アプリケーション用フローティングNDMOS: VFNDM80 標準値 単位 アナログ・アプリケーション用フローティングNDMOS: VFNDM80A 標準値 単位
Vt 0.54 V Vt 0.56 V
Vmax=Vbd (自己保護された場合はより高い) 70 V Vmax=Vbd (自己保護された場合はより高い) 70 V
Vgsmax (完全な寿命) 3.6 V Vgsmax (完全な寿命) 3.6 V
Ids (Vds=40, Vgs=1.5 V) 100 µA/µm Ids (Vds=40, Vgs=1.5 V) 70 µA/µm
Ron*Area (16フィンガ・ブロック) Ron*Area (16フィンガ・ブロック)
絶縁なし 180 mΩ*mm² 絶縁なし 250 mΩ*mm²
絶縁あり 260 mΩ*mm² 絶縁あり 325 mΩ*mm²
フローティング中電圧NDMOS 標準値 単位 フローティングHV PMOS LFPDM80 標準値 単位 フローティングPDMOS LFPDMS 標準値 単位
Vt 0.58 V Vt -0.56 V Vt -0.56 V
Vmax=Vbd 14 V Vmax=Vbd -70 V Vmax=Vbd -5.5 V
Vgsmax (完全な寿命) 3.6 V Vgsmax (完全な寿命) -3.6 V Vgsmax -3.6 V
Ids (Vds=10 V, Vgs=+3.3 V) 300 µA/µm Ids (Vds=-40V, Vgs=-1.5 V) 18.5 µA/µm Ids (Vds=-5 V, Vgs=-3.3 V) 96 µA/µm
Ron*Area 31 mΩ*mm² Ron*Area 280 mΩ*mm²

ダイオード

ツェナー・ダイオード: PBZD (a=2µm) 標準値 単位 OTP用ザッピング・ツェナー・ダイオード:UZZD 標準値 単位
Vz @ 100 µA 4.6 V Vz @ 1 A 1.5 V
Rzener 45 Ω Vbd @ 10 mA 4.5 V
Ileak @ Vz=0.5 V 200 nA Ileak_max @ Vz= 1 V 1.4 mA
フローティング高電圧ダイオード:FID80 標準値 単位 ゲート・クランピング用ポリ・ダイオード POLYD 標準値 単位
Vak_reverse, la=-100 nA >80 V Vreverse @ Ia=10 µA 6.8 V
Vak_forw, lk=100 µA 0.79 V Ileak/W @ Vrev=3.6 V <20< /td> nA/µm
Isub/IA, Va=0.7 V 0.5 %

キャパシタ(パラメータ@ 25°C)

タイプ(最大電圧) 標準値 単位
メタル2/メタル2.5 プレート: MIMC(3.6 V) 1.5 fF/µm²
メタル1/メタル3プレート(80 V) 0.1 fF/µm²
ポリ/メタル3プレート(80 V) 0.14 fF/µm²
メタル1/メタル3バー(80 V) 0.26 Ω/square
ポリ/メタル3バー(80 V) 0.33 Ω/square

抵抗(パラメータ@ 25°C)

抵抗のタイプ 標準値 単位
高抵抗ポリ: HIPO 1.5 Ω/square
サリサイドP+ポリ: LOPOR 0.1 Ω/square
非サリサイドP+ポリ: PPOLR 0.14 Ω/square
Mウェルの非サリサイドP+ 0.26 Ω/square
非サリサイドN+ポリ: NPOLR 0.33 Ω/square
Pウェルの非サリサイドN+ 0.26 Ω/square
FOX(フィールド酸化膜)の下のNウェル 0.33 Ω/square
AA(アクティブ・エリア)のNウェル 0.26 Ω/square
AA(アクティブ・エリア)のPウェル 0.33 Ω/square

ライブラリ

スタンダード・セル 超高集積コア・セル
pn sum: 2.0
2入力NAND(na21)の面積: 38.88 µm²
ゲート密度(na21 @ 100%利用率):25.72 kゲート/mm²
スキャン・フロップ密度(スキャン・フロップ@ 100%利用率): 3.215 k ff/mm²
平均電力(@ 3.3 V):0.2929 µW/MHz/ゲート
標準I/O - ファット・パッドI/Oライブラリ(コア制限デザイン用) 標準I/O - トール・パッドI/Oライブラリ(パッド制限デザイン用)
最小190.80 µmインライン・パッド・ピッチ 203.40 µmパッド高さ
最小97.20 µmインライン・パッド・ピッチ 374.40 µmパッド高さ

メモリ・オプション

RAM

同期型高速/高温シングル・ポートSRAM 同期型高速/高温デュアル・ポートSRAM ロー・パワー同期型SRAM
最小:16ワード x 2ビット 最小:16ワード x 2ビット 最小:64ワード x 4ビット
最大:128 kビット (例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…) 最大:128 kビット (例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…) 最大:128 kビット (例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…)

ROM

同期型高速/高温拡散ROM ロー・パワー同期型ビア・プログラマブルROM
最小:256ワード x 4ビット 最小:256ワード x 4ビット
最大:512 kビット (例:64 kワード x 8ビット、32 kワード x 16ビット、…) 最大:512 kビット (例:64 kワード x 8ビット、32 kワード x 16ビット、…)

不揮発性メモリ

OTP – ワンタイム・プログラマブル
ヒューズ:低電力ザッピングに最適化されたツェナー・ダイオード
直列および並列出力機能
イン・フィールド・プログラミング可
ベクトル:最大320ビット

CAD ツールの互換性

デジタル・デザイン
Synopsys Design Compiler
Cadence Verilog
アナログ・デザイン
Cadence DFII (4.4.6)
Spectre
配置・配線
Synopsys Apollo
Cadence Silicon Ensemble
物理的検証
Mentor Calibre

詳細については、オン・セミコンダクタの販売代理店 にお問い合わせください。

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